В 2008 году инженеры HP попали в заголовки (по крайней мере определенных изданий), когда они построили рабочий прототип элемента цепи, который существовал с 1971 года только в теории. Этот компонент, названный резистором памяти, или "мемристором", способен как хранить данные, так и выполнять вычисления, и сохранять свое состояние даже без электропитания.
Сегодня они опять попали в заголовки с известием, что они теперь добились от этих мемристоров скорости переключения, сопоставимой с существующими транзисторами и с высокой надежностью.
Они также обнаружили, что эти компоненты могут быть уложены в плотные трехмерные массивы, что обещает гораздо более компактную и быструю энергонезависимую память, нежели сегодняшняя флэш-память на основе транзисторов. Насколько компактную? Как насчет 20 гигабайт на квадратный сантиметр, со слов Стэна Уильямса (Stan Williams), физика из HP, и этого можно достигнуть в течении всего лишь трех лет. "Мы считаем, что это будет по крайней мере в два раза лучше того, что флэш-память сможет достичь за тот же период времени", сказал он. "Технология мемристоров действительно имеет предпосылки масштабирования в течение очень долгого времени, и это действительно многообещающе".
А их способность одновременно переключаться и хранить состояние делает мемристоры хорошим кандидатом для моделирования мозговой активности. "Наш мозг состоит из мемристоров", говорит Лион Чуа (Leon Chua), инженер из Калифорнийского университета в Беркли, который первым протестировал эти компоненты на практике. "Теперь у нас есть подходящие элементы для создания настоящих мозгов".